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APT30GT60BRG
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APT30GT60BRG 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
描述:功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules
PDF文件:APT30GT60BRG 数据手册 (6 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
APT30GT60BRG 数据手册 (6 页)
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APT30GT60BRG 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流64.0 A
封装TO-247-3
功耗250000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
额定功率(Max)250 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)250000 mW
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APT30GT60BRG 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT30GT60BRG 数据手册

APT30GT60BRG 数据手册
Microsemi（美高森美）
6 页 / 0.11 MByte
APT30GT60BRG 产品设计参考手册
Microsemi（美高森美）
12 页 / 1.03 MByte
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Microsemi（美高森美）
6 页 / 0.2 MByte
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40 页 / 4.07 MByte

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