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APT35GN120L2DQ2G
来自 AiPCBA

APT35GN120L2DQ2G 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-264-3
描述:功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules
PDF文件:APT35GN120L2DQ2G 数据手册 (9 页)封装尺寸在9 页
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APT35GN120L2DQ2G 数据手册 (9 页)
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APT35GN120L2DQ2G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)1.20 kV
额定电流94.0 A
封装TO-264-3
功耗379000 mW
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
额定功率(Max)379 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)379000 mW
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APT35GN120L2DQ2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT35GN120L2DQ2G 数据手册

APT35GN120L2DQ2G 数据手册
Microsemi（美高森美）
9 页 / 0.23 MByte
APT35GN120L2DQ2G 产品设计参考手册
Microsemi（美高森美）
12 页 / 1.03 MByte
APT35GN120L2DQ2G 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
9 页 / 0.21 MByte
APT35GN120L2DQ2G 产品手册
Microsemi（美高森美）
40 页 / 4.07 MByte

APT35GN120L2DQ2 数据手册

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