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APT40GR120B2SCD10
来自 AiPCBA

APT40GR120B2SCD10 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
描述:功率半导体功率模块射频功率MOSFET Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs
PDF文件:APT40GR120B2SCD10 数据手册 (1 页)
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APT40GR120B2SCD10 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
额定功率(Max)500 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)500000 mW
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APT40GR120B2SCD10 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT40GR120B2SCD10 数据手册

APT40GR120B2SCD10 数据手册
Microsemi（美高森美）
1 页 / 0.01 MByte
APT40GR120B2SCD10 产品设计参考手册
Microsemi（美高森美）
12 页 / 1.03 MByte
APT40GR120B2SCD10 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
7 页 / 0.16 MByte

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