类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Screw |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | 1.20 kV |
额定电流 | 75.0 A |
封装 | SOT-227 |
功耗 | 329000 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
输入电容值(Cies) | 3.94nF @25V |
额定功率(Max) | 329 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 329000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules
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Microchip(微芯)
IGBT 晶体管 FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS
Microchip(微芯)
IGBT 晶体管 FG, IGBT-COMBI, 1200V, 45A, SOT-227
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