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APT50M85JVR
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APT50M85JVR 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:MOS管
封装:SOT-227
描述:功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
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APT50M85JVR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
额定电压(DC)500 V
额定电流50.0 A
封装SOT-227
极性N-CH
功耗500 W
输入电容10.8 nF
栅电荷535 nC
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)50.0 A
上升时间17 ns
输入电容值(Ciss)9000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)500 W
下降时间7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)500000 mW
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APT50M85JVR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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APT50M85JVR 数据手册

APT50M85JVR 数据手册
Microsemi（美高森美）
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