| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-264 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 56A |
| 上升时间 | 18 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 10500pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625000 mW |
Microsemi（美高森美）
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Microsemi（美高森美）
功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
Microsemi（美高森美）
功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
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