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APT60GA60JD60
来自 AiPCBA

APT60GA60JD60 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227-4
描述:高速PT IGBT High Speed PT IGBT
PDF文件:APT60GA60JD60 数据手册 (1 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
APT60GA60JD60 数据手册 (1 页)
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APT60GA60JD60 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
功耗356 W
击穿电压(集电极-发射极)600 V
输入电容值(Cies)8.01nF @25V
额定功率(Max)356 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)356000 mW
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APT60GA60JD60 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度38.2 mm
宽度25.4 mm
高度9.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT60GA60JD60 数据手册

APT60GA60JD60 数据手册
Microsemi（美高森美）
1 页 / 0.01 MByte
APT60GA60JD60 产品设计参考手册
Microsemi（美高森美）
12 页 / 1.03 MByte
APT60GA60JD60 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
9 页 / 0.24 MByte

APT60GA60 数据手册

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Microsemi（美高森美）
高速PT IGBT High Speed PT IGBT
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