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APT60N60BCSG
来自 AiPCBA

APT60N60BCSG 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:超级结MOSFET Super Junction MOSFET
PDF文件:APT60N60BCSG 数据手册 (1 页)
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焊盘图
引脚图
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APT60N60BCSG 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流60.0 A
封装TO-247-3
漏源极电阻45 mΩ
功耗431 W
阈值电压3 V
输入电容7.20 nF
栅电荷190 nC
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)60.0 A
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)7200pF @25V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)431W (Tc)
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APT60N60BCSG 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Rail, Tube
长度21.46 mm
宽度16.26 mm
高度5.31 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT60N60BCSG 数据手册

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