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APT75GN120J
来自 AiPCBA

APT75GN120J 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227
PDF文件:APT75GN120J 数据手册 (6 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

APT75GN120J 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
引脚数4 Pin
封装SOT-227
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
输入电容值(Cies)4.8nF @25V
额定功率(Max)379 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)379000 mW
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APT75GN120J 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT75GN120J 数据手册

APT75GN120J 数据手册
Microsemi（美高森美）
6 页 / 0.41 MByte
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