| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | T-MAX-3 |
| 功耗 | 1.042 kW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 长度 | 21.46 mm |
| 宽度 | 16.26 mm |
| 高度 | 5.31 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Microchip（微芯）
6 页 / 0.09 MByte
Advanced Power Technology
Microsemi（美高森美）
APT75GP120B2G 单 1200 V 100 A 1042 W 320 nC POWER MOS 7® IGBT - TO-247-3
Microchip（微芯）
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
