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APT75GP120B2G
来自 AiPCBA

APT75GP120B2G 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
描述:APT75GP120B2G 单 1200 V 100 A 1042 W 320 nC POWER MOS 7® IGBT - TO-247-3
PDF文件:APT75GP120B2G 数据手册 (6 页)封装尺寸在6 页
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焊盘图
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APT75GP120B2G 数据手册 (6 页)
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APT75GP120B2G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)1.20 kV
额定电流100 A
封装TO-247-3
功耗1.042 kW
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
额定功率(Max)1042 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1042000 mW
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APT75GP120B2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度21.46 mm
宽度16.26 mm
高度5.31 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT75GP120B2G 数据手册

APT75GP120B2G 数据手册
Microsemi（美高森美）
6 页 / 0.1 MByte
APT75GP120B2G 产品设计参考手册
Microsemi（美高森美）
12 页 / 1.03 MByte
APT75GP120B2G 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
6 页 / 0.09 MByte
APT75GP120B2G 产品手册
Microsemi（美高森美）
40 页 / 4.07 MByte

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