| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Screw |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 1.20 kV |
| 额定电流 | 128 A |
| 封装 | SOT-227 |
| 功耗 | 543000 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 输入电容值(Cies) | 7.04nF @25V |
| 额定功率(Max) | 543 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 543000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules
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APT75GP120B2G 单 1200 V 100 A 1042 W 320 nC POWER MOS 7® IGBT - TO-247-3
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IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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