| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Screw |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-227-4 |
| 功耗 | 543 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 输入电容值(Cies) | 7.04nF @25V |
| 额定功率(Max) | 543 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 543000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 38.2 mm |
| 宽度 | 25.4 mm |
| 高度 | 9.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Microsemi（美高森美）
9 页 / 0.46 MByte
Microsemi（美高森美）
12 页 / 1.03 MByte
Microsemi（美高森美）
10 页 / 0.17 MByte
Microsemi（美高森美）
40 页 / 4.07 MByte
Microsemi（美高森美）
1 页 / 0.13 MByte
Microsemi（美高森美）
功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules
Microsemi（美高森美）
APT75GP120B2G 单 1200 V 100 A 1042 W 320 nC POWER MOS 7® IGBT - TO-247-3
Microsemi（美高森美）
功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules
Microchip（微芯）
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
Advanced Power Technology
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
