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APT75GT120JRDQ3
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APT75GT120JRDQ3 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227-4
描述:功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules
PDF文件:APT75GT120JRDQ3 数据手册 (9 页)封装尺寸在9 页
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焊盘图
引脚图
产品图
APT75GT120JRDQ3 数据手册 (9 页)
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APT75GT120JRDQ3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
功耗480000 mW
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
输入电容值(Cies)5.1nF @25V
额定功率(Max)480 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)480000 mW
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APT75GT120JRDQ3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT75GT120JRDQ3 数据手册

APT75GT120JRDQ3 数据手册
Microsemi（美高森美）
9 页 / 0.45 MByte
APT75GT120JRDQ3 产品设计参考手册
Microsemi（美高森美）
12 页 / 1.03 MByte
APT75GT120JRDQ3 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
9 页 / 0.18 MByte
APT75GT120JRDQ3 产品手册
Microsemi（美高森美）
40 页 / 4.07 MByte

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