Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > Microsemi（美高森美） > APT75GT120JU2 Datasheet 文档
APT75GT120JU2
来自 AiPCBA

APT75GT120JU2 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227
描述:APT75GT120JU2 单 1200 V 100 A 416 W 沟槽式和场截止 IGBT - SOT-227
PDF文件:APT75GT120JU2 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
APT75GT120JU2 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

APT75GT120JU2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
封装SOT-227
功耗416000 mW
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
输入电容值(Cies)5.34nF @25V
额定功率(Max)416 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)416000 mW
查看数据手册 >

APT75GT120JU2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

APT75GT120JU2 数据手册

APT75GT120JU2 数据手册
Microsemi（美高森美）
8 页 / 0.55 MByte
APT75GT120JU2 产品封装文件
Microsemi（美高森美）
13 页 / 0.91 MByte
APT75GT120JU2 产品手册
Microsemi（美高森美）
40 页 / 4.07 MByte

APT75GT120 数据手册

APT75GT120JRDQ3 数据手册
Microsemi（美高森美）
功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules
APT75GT120JU2 数据手册
Microsemi（美高森美）
APT75GT120JU2 单 1200 V 100 A 416 W 沟槽式和场截止 IGBT - SOT-227
APT75GT120JU3 数据手册
Microsemi（美高森美）
ISOTOP降压斩波沟道IGBT ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT75GT120JU2 数据手册
Microchip（微芯）
IGBT 模块 CC0068
APT75GT120JRDQ3 数据手册
Microchip（微芯）
APT75GT120JU3 数据手册
Microchip（微芯）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet