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APT7M120B
来自 AiPCBA

APT7M120B 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N沟道MOSFET N-Channel MOSFET
PDF文件:APT7M120B 数据手册 (4 页)封装尺寸在4 页
典型应用电路图在1 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
APT7M120B 数据手册 (4 页)
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APT7M120B 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)1.20 kV
额定电流7.10 A
封装TO-247-3
极性N-CH
功耗335 W
输入电容2.57 nF
栅电荷80.0 nC
漏源极电压(Vds)1200 V
连续漏极电流(Ids)7.00 A
上升时间8 ns
输入电容值(Ciss)2565pF @25V(Vds)
额定功率(Max)335 W
下降时间13 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)335W (Tc)
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APT7M120B 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT7M120B 数据手册

APT7M120B 数据手册
Microsemi（美高森美）
4 页 / 0.2 MByte
APT7M120B 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
5 页 / 0.11 MByte
APT7M120B 产品手册
Microsemi（美高森美）
40 页 / 4.07 MByte

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