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APT7M120S
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APT7M120S 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:N沟道MOSFET N-Channel MOSFET
PDF文件:APT7M120S 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
APT7M120S 数据手册 (5 页)
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APT7M120S 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
通道数1 Channel
漏源极电阻1.5 Ω
功耗335 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)1200 V
漏源击穿电压1.2 kV
上升时间8 ns
输入电容值(Ciss)2565pF @25V(Vds)
额定功率(Max)335 W
下降时间13 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)335000 mW
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APT7M120S 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
材质Silicon
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APT7M120S 数据手册

APT7M120S 数据手册
Microsemi（美高森美）
5 页 / 0.19 MByte
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