类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 800 V |
额定电流 | 38.0 A |
封装 | TO-264 |
功耗 | 694 W |
输入电容 | 5.20 nF |
栅电荷 | 195 nC |
漏源极电压(Vds) | 800 V |
连续漏极电流(Ids) | 38.0 A |
上升时间 | 14 ns |
输入电容值(Ciss) | 5200pF @25V(Vds) |
下降时间 | 9 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 694000 mW |
Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.16 MByte
Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.24 MByte
Microsemi(美高森美)
功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
Microsemi(美高森美)
功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件