| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 800 V |
| 额定电流 | 31.0 A |
| 封装 | TO-264-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 565W (Tc) |
| 输入电容 | 4.67 nF |
| 栅电荷 | 160 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 31.0 A |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4670pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 4 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 565W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
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