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APT80GA60LD40
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APT80GA60LD40 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-264-3
描述:高速PT IGBT High Speed PT IGBT
PDF文件:APT80GA60LD40 数据手册 (9 页)典型应用电路图在3 页
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焊盘图
引脚图
产品图
APT80GA60LD40 数据手册 (9 页)
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APT80GA60LD40 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-264-3
功耗625000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间22 ns
额定功率(Max)625 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)625000 mW
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APT80GA60LD40 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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APT80GA60LD40 数据手册

APT80GA60LD40 数据手册
Microsemi（美高森美）
9 页 / 0.09 MByte
APT80GA60LD40 产品设计参考手册
Microsemi（美高森美）
12 页 / 1.03 MByte
APT80GA60LD40 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
9 页 / 0.24 MByte

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