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APTGF180H60G
来自 AiPCBA

APTGF180H60G 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:IGBT晶体管
封装:SP-6
描述:APTGF180H60G NPT IGBT功率模块 APTGF180H60G NPT IGBT Power Module
PDF文件:APTGF180H60G 数据手册 (1 页)
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焊盘图
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APTGF180H60G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数12 Pin
封装SP-6
功耗833000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
输入电容值(Cies)8.6nF @25V
额定功率(Max)833 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)833000 mW
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APTGF180H60G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
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APTGF180H60G 数据手册

APTGF180H60G 数据手册
Microsemi（美高森美）
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APTGF180H60G 其他数据使用手册
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APTGF180H60G 产品手册
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APTGF180H60G NPT IGBT功率模块 APTGF180H60G NPT IGBT Power Module
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