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APTGT300TL60G
来自 AiPCBA

APTGT300TL60G 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:IGBT晶体管
封装:SP-6
描述:三电平逆变器沟道+场截止IGBT功率模块 Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
PDF文件:APTGT300TL60G 数据手册 (8 页)封装尺寸在4 页
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焊盘图
引脚图
产品图
APTGT300TL60G 数据手册 (8 页)
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APTGT300TL60G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数11 Pin
封装SP-6
击穿电压(集电极-发射极)600 V
输入电容值(Cies)18.4nF @25V
额定功率(Max)935 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)935000 mW
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APTGT300TL60G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-40℃ ~ 175℃ (TJ)
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APTGT300TL60G 数据手册

APTGT300TL60G 数据手册
Microsemi（美高森美）
8 页 / 0.47 MByte
APTGT300TL60G 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
7 页 / 0.21 MByte

APTGT300TL60 数据手册

APTGT300TL60G 数据手册
Microsemi（美高森美）
三电平逆变器沟道+场截止IGBT功率模块 Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT300TL60G 数据手册
Microchip（微芯）
IGBT 模块 CC6182
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