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APTGT600DU60G
来自 AiPCBA

APTGT600DU60G 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:IGBT晶体管
封装:SP-6
描述:双共源沟道+场截止IGBT功率模块 Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module
PDF文件:APTGT600DU60G 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
APTGT600DU60G 数据手册 (5 页)
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APTGT600DU60G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数7 Pin
封装SP-6
击穿电压(集电极-发射极)600 V
输入电容值(Cies)49nF @25V
额定功率(Max)2300 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)2300000 mW
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APTGT600DU60G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-40℃ ~ 175℃ (TJ)
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APTGT600DU60G 数据手册

APTGT600DU60G 数据手册
Microsemi（美高森美）
5 页 / 0.72 MByte
APTGT600DU60G 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
6 页 / 0.41 MByte
APTGT600DU60G 产品手册
Microsemi（美高森美）
40 页 / 4.07 MByte

APTGT600DU60 数据手册

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