| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 2 GHz |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 5.50 V |
| 额定电流 | 305 mA |
| 封装 | SOT-343 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 功耗 | 600 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 5.5 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 305 mA |
| 输出功率 | 22 dBm |
| 增益 | 15 dB |
| 测试电流 | 80 mA |
| 工作温度(Max) | 160 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 600 mW |
| 额定电压 | 5.5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Bulk |
| 长度 | 2.25 mm |
| 宽度 | 1.35 mm |
| 高度 | 1 mm |
N 通道 HEMT，Avago Technologies
●高电子迁移率晶体管（HEMT，也称为异质结构或异质结 FET）是结型 FET，利用两种材料，具有不同带隙（即异质结），用作 MOSFET 中替换掺杂区的通道。 HEMT 晶体管具有良好的高频率特性且通常用于小信号、低噪声 RF 应用。
●HEMT、HFET、HJ-FET 和 MODFET 是用于描述此类型晶体管的所有术语。
●pHEMT 或假同晶 HEMT 是基本 HEMT 晶体管类型的变型，具有 E-pHEMT 设备，正成为增强模式类型。
Broadcom（博通）
17 页 / 0.39 MByte
Broadcom（博通）
18 页 / 0.5 MByte
AVAGO Technologies（安华高科）
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs Low Noise
Broadcom（博通）
BROADCOM LIMITED ATF-33143-BLKG 晶体管, 射频FET, 高线性度, 5.5 V, 305 mA, 600 mW, 450 MHz, 10 GHz, SOT-343
Broadcom（博通）
N 通道 HEMT，Avago Technologies 高电子迁移率晶体管（HEMT，也称为异质结构或异质结 FET）是结型 FET，利用两种材料，具有不同带隙（即异质结），用作 MOSFET 中替换掺杂区的通道。 HEMT 晶体管具有良好的高频率特性且通常用于小信号、低噪声 RF 应用。 HEMT、HFET、HJ-FET 和 MODFET 是用于描述此类型晶体管的所有术语。 pHEMT 或假同晶 HEMT 是基本 HEMT 晶体管类型的变型，具有 E-pHEMT 设备，正成为增强模式类型。 JFET 晶体管 一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。
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