| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-262 |
| 额定功率 | 140 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0058 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 140 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 94A |
| 上升时间 | 150 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2840pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 92 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 140 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 11.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
汽车 N 通道功率 MOSFET，Infineon
●Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
15 页 / 0.34 MByte
Infineon（英飞凌）
15 页 / 0.26 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON AUIRF1010ZS 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON AUIRF1010Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V
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N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON AUIRF1010ZL 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V
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汽车Q101 60V单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
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场效应管(MOSFET) AUIRF1010ZSTRL TO-263-3
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场效应管(MOSFET) AUIRF1010EZSTRL TO-263-3
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