| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 7 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 300 W |
| 针脚数 | 7 Position |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 300 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 24 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 429A |
| 上升时间 | 240 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 7700pF @19V(Vds) |
| 下降时间 | 93 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.35 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 4.55 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
汽车 N 通道功率 MOSFET，Infineon
●Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
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INFINEON AUIRF1324S-7P 晶体管, MOSFET, N沟道, 429 A, 24 V, 800 µohm, 10 V, 2 V
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