| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 300 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0015 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 300 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 270A |
| 上升时间 | 120 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 6450pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 130 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
汽车 N 通道功率 MOSFET，Infineon
●Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
13 页 / 0.73 MByte
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28 页 / 4.06 MByte
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2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
35 页 / 2.04 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON AUIRF2804 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 1.8 mohm, 10 V, 2 V
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON AUIRF2804S 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 1.5 mohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON AUIRF2804S-7P 晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 40 V, 1.5 mohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
汽车Q101 40V单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
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场效应管(MOSFET) AUIRF2804STRL7P D2PAK-7
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