| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-263-3 |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 170 W |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 70A |
| 上升时间 | 99 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3500pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 64 ns |
| 耗散功率(Max) | 200W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.6 MByte
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
Infineon（英飞凌）
14 页 / 0.25 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
35 页 / 2.04 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON AUIRF4905 晶体管, MOSFET, P沟道, -74 A, -55 V, 0.02 ohm, -10 V, -2 V
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
汽车 Q101-55V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
