| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 漏源极电阻 | 290 mΩ |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 3.8 W |
| 漏源极电压(Vds) | 150 V |
| 漏源击穿电压 | 150 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 13A |
| 上升时间 | 36 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 860pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 37 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 150 V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
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INFINEON AUIRF6215 晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -150 V, 0.29 ohm, -10 V, -2 V
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Infineon（英飞凌）
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 150 V, 9 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) AUIRF6215S D2PAK
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