| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | Direct-FET |
| 额定功率 | 30 W |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.8A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 450pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 6.2 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2400 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 60 V, 0.027 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
DirectFET®2 功率 MOSFET，Infineon**DirectFET ®2** 功率MOSFET 提供卓越的功率密度、双面冷却以及低寄生电感和电阻，采用坚固符合 AEC-Q101 的封装，适用于汽车应用。 DirectFET®2 MOSFET 是久经考验的 DirectFET 封装技术的可靠性和性能与 Infineon 的最新通道硅工艺的完美组合，在整体系统级尺寸、成本和效率方面均有改进。
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