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AUIRF7749L2TR
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AUIRF7749L2TR 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:DirectFET-L8
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 345 A, 60 V, 0.0011 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:AUIRF7749L2TR 数据手册 (12 页)封装尺寸在9 页
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焊盘图
引脚图
产品图
AUIRF7749L2TR 数据手册 (12 页)
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AUIRF7749L2TR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数9 Pin
封装DirectFET-L8
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻1.1 mΩ
极性N-CH
功耗341 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60 V
连续漏极电流(Ids)36A
上升时间149 ns
输入电容值(Ciss)10655pF @25V(Vds)
下降时间88 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)3.8W (Ta), 341W (Tc)
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AUIRF7749L2TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度9.15 mm
宽度7.1 mm
高度0.74 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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AUIRF7749L2TR 数据手册

AUIRF7749L2TR 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.49 MByte
AUIRF7749L2TR 开发手册
Infineon（英飞凌）
35 页 / 2.04 MByte

AUIRF7749L2 数据手册

AUIRF7749L2 数据手册
Infineon（英飞凌）
AUIRF7749L2TR 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 345 A, 60 V, 0.0011 ohm, 10 V, 4 V
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