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AUIRF7759L2TR1
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AUIRF7759L2TR1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
PDF文件:AUIRF7759L2TR1 数据手册 (13 页)
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焊盘图
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AUIRF7759L2TR1 数据手册 (13 页)
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AUIRF7759L2TR1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数15 Pin
封装TO-252-3
漏源极电阻1.8 mΩ
极性N-CH
功耗125 W
漏源极电压(Vds)75 V
漏源击穿电压75 V
连续漏极电流(Ids)160A
上升时间37 ns
输入电容值(Ciss)12222pF @25V(Vds)
下降时间300 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3300 mW
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AUIRF7759L2TR1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度6.5 mm
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
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AUIRF7759L2TR1 数据手册

AUIRF7759L2TR1 数据手册
Infineon（英飞凌）
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