| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 68 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.1 Ω |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 68 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 19A |
| 上升时间 | 55 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 620pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 41 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 68 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.66 mm |
| 宽度 | 4.82 mm |
| 高度 | 16.51 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
汽车 P 通道功率 MOSFET，Infineon
●Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
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INFINEON AUIRF9Z34N 晶体管, MOSFET, P沟道, -19 A, -55 V, 0.1 ohm, -10 V, -2 V
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