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AUIRFN8459TR
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AUIRFN8459TR 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PowerTDFN-8
描述:双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 50 A, 40 V, 0.0048 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:AUIRFN8459TR 数据手册 (10 页)封装尺寸在8 页
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焊盘图
引脚图
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AUIRFN8459TR 数据手册 (10 页)
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AUIRFN8459TR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PowerTDFN-8
针脚数6 Position
漏源极电阻0.0048 Ω
极性N-CH
功耗50 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)40 V
连续漏极电流(Ids)70A
上升时间55 ns
输入电容值(Ciss)2250pF @25V(Vds)
额定功率(Max)50 W
下降时间42 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)50000 mW
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AUIRFN8459TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度6 mm
宽度5 mm
高度1.2 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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AUIRFN8459TR 数据手册

AUIRFN8459TR 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.72 MByte
AUIRFN8459TR 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
28 页 / 4.06 MByte
AUIRFN8459TR 产品设计图
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
AUIRFN8459TR 开发手册
Infineon（英飞凌）
35 页 / 2.04 MByte

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双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 50 A, 40 V, 0.0048 ohm, 10 V, 3 V
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