类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOIC-20 |
上升/下降时间 | 125ns, 50ns |
输出电流 | 350 mA |
上升时间 | 125 ns |
下降时间 | 50 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | 40 ℃ |
电源电压 | 10V ~ 20V |
电源电压(Max) | 20 V |
电源电压(Min) | 10 V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon(英飞凌)
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P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
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