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器件3D模型
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来自 AiPCBA
BA12003BF 数据手册 - ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
制造商:
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
封装:
SOP
描述:
高电压,大电流达林顿晶体管阵列 High voltage, high current Darlington transistor array
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BA12003BF 数据手册
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BA12003BF 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOP
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
0.5A
BA12003BF 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Obsolete
BA12003BF 符合标准
BA12003 数据手册
BA12003
BF-E2
数据手册
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
达林顿晶体管阵列,ROHM Semiconductor此阵列由七个达林顿晶体管电路组成,可驱动高输出电流 (500 mA)。内置输入电阻器可限制基座电流 输出处内置箝位二极管可吸收浪涌电流 输入和输出引脚布局在 IC 封装的两侧分开 应用包括小型电动机驱动器和 LED 驱动器 ### 达林顿晶体管驱动器
BA12003
B
数据手册
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
高电压,大电流达林顿晶体管阵列 High voltage, high current Darlington transistor array
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示例:
STM32F103
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