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BB639C
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BB639C 数据手册 (8 页)
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BB639C 技术参数、封装参数

BB639C 外形尺寸、物理参数、其它

BB639C 数据手册

Infineon(英飞凌)
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BB639 数据手册

Infineon(英飞凌)
硅变容二极管 Silicon Variable Capacitance Diodes
Siemens Semiconductor(西门子)
BB639 变容二极管 30V 29.75pF 10.4 SOD-323/SC-76/0805 marking/标记 S 超高频调谐/大容量比率/低串联电阻
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
Silicon Labs(芯科)
Infineon(英飞凌)
Infineon BB639E7904HTSA1 30V 36pF 变容管, 最小调谐比: 13.5 VHF, 2引脚 SOD-323封装, 使用于调谐器
Infineon(英飞凌)
Infineon 可变电容二极管,通常称为变容、变容管或调谐二极管,在许多需要电容随电压变化改变的许多应用中非常有用。 它们适用于广泛应用,包括:射频调谐、电压控制振荡器和滤波器、频率合成器和乘法器。 二极管和整流器,Infineon
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BB639CE7904HTSA1  可变电容二极管, 2.75 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2引脚
Infineon(英飞凌)
BB639C 变容二极管 30V 30.2pF 11.1 SOT-23/SC-59 marking/标记 S 超高频调谐/大容量比率/低串联电阻
Infineon(英飞凌)
变容二极管 Varactor Diode 30 V 20mA
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