| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 100 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -50.0 V |
| 额定电流 | -800 mA |
| 封装 | TO-92-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 625 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.8A |
| 最小电流放大倍数 | 160 @100mA, 1V |
| 最大电流放大倍数 | 630 |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Each |
| 长度 | 5.2 mm |
| 宽度 | 4.19 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BC327-25 单晶体管 双极, PNP, 45 V, 260 MHz, 625 mW, -800 mA, 160 hFE
NXP（恩智浦）
PNP通用晶体管 PNP general purpose transistor
Central Semiconductor
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50Vcbo 45 Vceo 500mA 625mW Trans
ST Microelectronics（意法半导体）
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