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BC33725TAR
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BC33725TAR 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-226-3
描述:ON Semiconductor BC33725TAR , NPN 晶体管, 800mA, Vce=50 V, HFE:100, 50 MHz, 3引脚 TO-92封装
PDF文件:BC33725TAR 数据手册 (7 页)封装尺寸在4 页5 页
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焊盘图
引脚图
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BC33725TAR 数据手册 (7 页)
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BC33725TAR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率100 MHz
引脚数3 Pin
封装TO-226-3
功耗0.625 W
击穿电压(集电极-发射极)45 V
最小电流放大倍数160 @100mA, 1V
额定功率(Max)625 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)625 mW
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BC33725TAR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
材质Silicon
长度4.58 mm
宽度3.86 mm
高度4.58 mm
工作温度150℃ (TJ)
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BC33725TAR 数据手册

BC33725TAR 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.27 MByte
BC33725TAR 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.29 MByte
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3 页 / 0.02 MByte

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