| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 封装 | TO-226-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 1.5 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 30000 @20mA, 2V |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 30000 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 增益带宽 | 200 MHz |
| 耗散功率(Max) | 1500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Box |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 200MHz 通孔 TO-92-3
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达林顿晶体管（ NPN硅） Darlington Transistors(NPN Silicon)
Fairchild（飞兆/仙童）
NPN达林顿晶体管 NPN Darlington Transistor
NXP（恩智浦）
NPN达林顿晶体管 NPN Darlington transistor
Siemens Semiconductor（西门子）
KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）
Infineon（英飞凌）
NPN硅达林顿晶体管（高电流增益高集电极电流） NPN Silicon Darlington Transistor (High current gain High collector current)
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