类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-226-3 |
极性 | PNP |
击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
集电极最大允许电流 | 0.1A |
最小电流放大倍数 | 420 @2mA, 5V |
额定功率(Max) | 500 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 500 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
NXP(恩智浦)
PNP通用晶体管 PNP general purpose transistor
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
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