| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 200 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 80.0 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 封装 | TO-226-3 |
| 额定功率 | 800 mW |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 800 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 40 @150mA, 2V |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 40 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Box |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 5.2 mm |
| 宽度 | 4.19 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通用 NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor
●### 标准
●带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
ON Semiconductor（安森美）
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高电流晶体管 High Current Transistors
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NXP（恩智浦）
NPN型中功率晶体管 NPN medium power transistors
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