| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-323 |
| 最小电流放大倍数 | 100 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 长度 | 2.2 mm |
| 宽度 | 1.35 mm |
| 高度 | 1 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 80MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~600 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −700mV/-0.7V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| PNP Silicon AF Transistors FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 描述与应用| PNP硅晶体管自动对焦 特点 •高电流（最大500毫安） •低电压（最大45 V）。 应用 •通用开关和放大。
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
PNP 晶体管，NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
Multicomp
MULTICOMP BC807 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 200 MHz, 300 mW, -500 mA, 100 hFE
Nexperia（安世）
通用 PNP 晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
Infineon（英飞凌）
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
Siemens Semiconductor（西门子）
Fairchild（飞兆/仙童）
开关和放大器应用 Switching and Amplifier Applications
Vishay Semiconductor（威世）
小信号晶体管（ PNP ） Small Signal Transistors (PNP)
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