类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
封装 | SOT-457 |
极性 | NPN+PNP |
击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
集电极最大允许电流 | 0.5A |
最小电流放大倍数 | 40 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 600 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
长度 | 3.1 mm |
宽度 | 1.7 mm |
高度 | 1 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 50V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 45V/-45V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 500mA/-500mA 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 100MHz/80MHz 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 160~400 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | 700mV 耗散功率Pc Power Dissipation | 600mW Description & Applications | Features • NPN/PNP general purpose double transistor • High current (500 mA) • 600 mW total power dissipation • Replaces two SOT23 packaged transistors on same PCB area. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Complementary driver • Half and full bridge driver. 描述与应用 | 特点 •NPN/ PNP通用双晶体管 •高电流(500毫安) •600 mW的总功耗 •替换两个SOT23封装的晶体管相同的PCB面积。 应用 •通用开关和放大 •互补驱动器 •半桥和全桥驱动器
NXP(恩智浦)
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NXP(恩智浦)
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NXP(恩智浦)
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Multicomp
MULTICOMP BC817 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 170 MHz, 300 mW, 500 mA, 100 hFE
Nexperia(安世)
小信号 NPN 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
Vishay Semiconductor(威世)
小信号晶体管( NPN ) Small Signal Transistors (NPN)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
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