类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23 |
极性 | NPN |
功耗 | 250 mW |
最小电流放大倍数 | 200 |
直流电流增益(hFE) | 290 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 65V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200~450 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 200~600 mV 耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| NPN general purpose transistor FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 65 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 描述与应用| NPN通用晶体管 特点 •低电流(最大100 mA) •低电压(最大65 V)。 应用 •通用开关和放大。
NXP(恩智浦)
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NXP(恩智浦)
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NXP(恩智浦)
BC846 NPN三极管 80V 100mA/0.1A 100MHz 110~450 200~600 mV SOT-23/SC-59 marking/标记 1DW 通用开关和放大
Multicomp
MULTICOMP BC846 单晶体管 双极, NPN, 65 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 110 hFE
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
Nexperia(安世)
小信号 NPN 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
Vishay Semiconductor(威世)
小信号晶体管( NPN ) Small Signal Transistors (NPN)
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