集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 65V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 100MA 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 250MHZ 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 200~450 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.65V 耗散功率Pc Power Dissipation | 250MW/0.25W 描述与应用 Description & Applications | 硅NPN型晶体管阵列 对于房颤输入阶段和驱动程序的应用程序 高电流增益 低饱和电压 两个(电)内部孤立的晶体管 在一个包有良好的匹配 技术文档PDF下载 | 在线阅读
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NXP（恩智浦）
BC846 NPN三极管 80V 100mA/0.1A 100MHz 110~450 200~600 mV SOT-23/SC-59 marking/标记 1DW 通用开关和放大
Multicomp
MULTICOMP BC846 单晶体管 双极, NPN, 65 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 110 hFE
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PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
Nexperia（安世）
小信号 NPN 晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）
Vishay Semiconductor（威世）
小信号晶体管（ NPN ） Small Signal Transistors (NPN)
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