| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 45.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | SC-70-6 |
| 极性 | NPN+PNP |
| 功耗 | 380 mW |
| 增益频宽积 | 100 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
| 最小电流放大倍数 | 150 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 380 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 0.9 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V/50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -45V/45V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -100mA/100mA 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 100MHz 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 200~475 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 600mV 耗散功率Pc Power Dissipation | 380mW Description & Applications | Features •Dual General Purpose Transistors •Pb−Free Package is Available 描述与应用 | 特点 •双通用晶体管 •无铅包装是可用
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ON SEMICONDUCTOR BC847BPDW1T1G. 晶体管 双极-射频, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, 100 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BC847BPDW1T3G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, PNP, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新
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双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
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双路通用晶体管（ NPN / PNP对偶） Dual General Purpose Transistors(NPN/PNP Duals)
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