| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 100 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 45.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 300 mW |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 300 mW |
| 增益频宽积 | 100 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
| 最小电流放大倍数 | 420 |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 420 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 420~800 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200~600 mV 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| Features • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: >4000 V ESD Rating − Machine Model: >400 V • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 描述与应用| 特点 •湿度敏感度等级：1 •ESD额定值 - 人体模型：>4000 V ESD额定值 - 机器型号：> 400 V •这些器件是无铅，无卤，无 BFR
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
通用晶体管（ NPN硅） General Purpose Transistors(NPN Silicon)
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BC847CLT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE
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