| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-323 |
| 最小电流放大倍数 | 110 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200 mW |
| 类型 | 描述 |
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| 产品生命周期 | Unknown |
| 长度 | 2.2 mm |
| 宽度 | 1.35 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 30V
●\---|---
●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 30V
●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A
●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz
●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 110~800
●管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200~600 mV
●耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W
●Description & Applications| Features General-purpose transistors SMD plastic packages Applications General-purpose switching and amplification
●描述与应用| 特点 通用晶体管 SMD塑料封装 应用 通用的开关和放大
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
bc848 NPN三极管 30V 100mA/0.1A 100MHz 200~450 200~600 mV SOT-23/SC-59 marking/标记 1M 通用开关和放大
Infineon（英飞凌）
NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors
Fairchild（飞兆/仙童）
NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）
Siemens Semiconductor（西门子）
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