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BC849BLT1G
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BC849BLT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-23-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC849BLT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 290 hFE
PDF文件:BC849BLT1G 数据手册 (13 页)封装尺寸在13 页
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BC849BLT1G 数据手册 (13 页)
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BC849BLT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率100 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流100 mA
封装SOT-23-3
针脚数3 Position
极性NPN
功耗300 mW
击穿电压(集电极-发射极)30 V
集电极最大允许电流0.1A
最小电流放大倍数200 @2mA, 5V
额定功率(Max)300 mW
直流电流增益(hFE)290
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300 mW
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BC849BLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
宽度1.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BC849BLT1G 数据手册

BC849BLT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
13 页 / 0.1 MByte
BC849BLT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
14 页 / 0.16 MByte
BC849BLT1G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.09 MByte
BC849BLT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.17 MByte

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